资料目录（截图原因可能偏模糊，实际都是高清版）
备考《模拟电子技术》，最致命的误区是把它当成“电路分析”的进阶版——沉迷于计算静态工作点、背诵反馈类型口诀，结果面对“为何共射放大器中偏置电阻的调整会同时改变增益、输入阻抗和频率特性”时，只会拆成三个孤立知识点，看不见它们被同一只晶体管的物理本质耦合在一起。这门课的本质不是线性电路的延伸，而是用非线性器件构造线性放大功能的工程博弈。复习的核心不在“会算多少题”，而在“建立从器件物理到电路行为的因果直觉”。
第一，以“静态工作点”为原点重构全书逻辑。 模拟电路的一切行为，都从静态工作点这个源头流出。增益是工作点处的跨导，输入阻抗是工作点处的伏安特性切线，频率特性是工作点处结电容与偏置电流的函数，失真边界是工作点偏离线性区间的物理极限。建议手绘一张“单管放大器统一模型图”，以共射组态为母版，红笔标直流通路，蓝笔标交流通路，黑笔标交直流耦合节点。合上笔记能从偏置电阻的阻值反向推演出增益、输入阻抗、上限频率的数量级及相互制约关系，才算读懂了模电的第一条公理。
第二，死磕“等效模型”而非死记公式。 绝大多数考生被模电折磨，是因为把脑力消耗在记忆“共射增益=－βRc/Rb”“共基增益=βRc/rbe”等十几个孤立公式上。这是最隐蔽的自我消耗。 高分考生的书包里没有这堆公式，只有一张晶体管π型混合等效模型。共射、共集、共基不过是信号注入节点和输出提取节点的三种接法——增益表达式从模型推导得出，而非从目录背出。建议花一周时间，把教材所有放大器电路都用π型模型重画一遍，每个电容标注物理含义：Cπ是发射结电容，Cμ是集电结电容，耦合电容是隔直高通。 考场遇陌生电路，你从容画模型、列方程、得结论，而非翻找记忆库里是否练过原题。
第三，用“带宽—增益积”红线穿透频率特性。 这是全书理论密度最高、拉开分数差距的战略制高点。频率特性不是凭空多出的新知识，它是等效模型中那些被你前八周无视的结电容终于开始导电的必然结果。 复习频率响应，不要背“共射上限频率低、共基上限频率高”的结论，要追问：米勒效应是什么？是Cμ从基极看集电极，被电压增益放大了(1+|Av|)倍。共基电路为何上限频率高？基极交流接地，Cμ不再跨接输入输出之间，米勒效应消失。建议手绘一张“米勒效应三连击图”，并列计算共射、共集、共基三组态的米勒等效电容，你会直观看到：带宽与增益在此电容上剧烈博弈——这是模拟电路第一守恒律。
